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1300?℃還原爐采用全不銹鋼 SUS304 結構，密封效果好，可通氫氣，氮氣，氬氣或其他惰性氣體。可真空狀態下使用，真空度為 100Pa~10KPa 。控制系統可采用儀表控溫或觸摸屏系統。采用 PLC 控制，安全可靠。安全系統采用二級防護裝置，一種電子超壓保護防護，另一種為機械式安全防爆閥門。確保爐體安全可靠。

H系列氫氣爐是用鉬帶作發熱元件的真空電阻爐，主要應用于陶瓷、硬質合金、復合材料等在真空或保護氣氛中高溫燒結，也可以供金屬材料在高真空條件下的高溫熱處理或貴金屬材料的除氣處理。

還原爐是用鉬帶作發熱元件的真空電阻爐，主要應用于陶瓷、硬質合金、復合材料等在真空或保護氣氛中高溫燒結，也可以供金屬材料在高真空條件下的高溫熱處理或貴金屬材料的除氣處理。

熱誘導的化學氣相滲透(英語:chemical vaporinfiltration ,CV)是一個與CVD有關的技術，以在基體材料滲入多孔或纖維預成型件以制備由復合材料制成的部件具有改善的機械性能，耐腐蝕性，耐熱沖擊性和低殘余應力。

擴散焊是指將工件在高溫下加壓，但不產生可見變形和相對移動的固態焊方法。擴散焊特別適合異種金屬材料、耐熱合金和陶瓷、金屬化合物、復合材料等新材料的接合，尤其是對熔焊方法難以焊接的材料，擴散焊具有明顯的優勢，日益引起人們的重視。

熱誘導化學氣相沉積是用于各種電介質,半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式，無論是單晶，多晶，無定形或外延狀態上或大或小的形態。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。通過使用合成前體，涂層非常純凈并目滿足半導體工業的典型要求，根據工藝參數，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數百微米的固體保護層或功能層，以及厚度達100微米的單片部件，甚至高達數毫米。